仕事の詳細
職場での仕事内容から生かせる経験・スキル、諸条件など詳細を確認できます
企業名
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
職種
【横浜/山梨】化合物半導体プロセス開発エンジニア
仕事内容
ポジション概要 化合物半導体光デバイスのプロセス技術開発、特にMOCVDを用いたエピタキシャル結晶成長を中心とするエンジニアを募集します。量子井戸構造や三次元構造の成長技術を開発し、光素子設計部と連携して新製品の開発・特性改善を牽引していただきます。 具体的な仕事内容 ■主な業務 ・MOCVD装置を用いたエピタキシャル結晶成長プロセスの開発・最適化 ・量子井戸などの複雑な結晶構造の成長制御 ・平坦成長 → 部分エッチング → 再成長という化合物半導体特有の三次元構造形成プロセス開発 ・スパッタリング、エッチング等の電極形成プロセス技術 ・光素子設計部との連携による、設計起点のプロセス課題解決 ■技術的な特徴 ・化合物半導体（InP、GaAs系）はシリコン半導体と異なり三次元構造を持つため、独自の成長技術が必要 ・MOCVD装置による結晶成長が最終的なデバイス特性の約9割を決定する最重要工程 ■現在の主要開発領域（光素子設計部と同じ製品群のプロセス立ち上げ） ・次世代EML（200G〜400Gb/s） ・高出力・低消費電力CWレーザ ・長距離対応波長可変レーザ (変更の範囲: 会社の定める業務)
求める人物像
必須条件（MUST) 下記いずれかに該当する実務または研究経験をお持ちの方 ・光半導体デバイスの結晶成長またはプロセス開発経験：半導体レーザ、LED、受光素子、光変調器など ・化合物半導体の結晶成長またはウェハプロセス開発経験：InP、GaAs、GaN、SiC等の結晶成長（MOCVD／MBE／HVPE等）またはウェハプロセス開発経験。用途不問（パワー半導体、RFデバイス、化合物太陽電池など） ・研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験（修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む） 歓迎条件（WANT) 下記いずれか満たす方は特に歓迎します ・MOCVD装置の操作・プロセスレシピ開発経験 ・量子井戸構造の成長制御経験 ・再成長・埋め込み成長など三次元構造形成経験 ・LED開発経験 ・光電変換材料など化合物半導体関連材料の開発経験（材料メーカー出身） ・シリコンフォトニクス開発経験 求める人物像 ・普通に解けない問題に粘り強く取り組める方（簡単に諦めない姿勢） ・一方で、筋の悪いアプローチは早期に見切れるバランス感覚をお持ちの方 ・多様な要素技術・部門と協働するため、横連携・コミュニケーションを楽しめる方 ・「わいがや」で相談しながら仕事を進めることを心地よく感じる方
博士・ポスドクに特に求めること
・研究経験：光通信・光デバイス・化合物半導体のいずれかに関する研究経験（修士・博士論文テーマ、ポスドク経験を含む）
勤務予定地
〒244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1番地 〒409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 横浜本社最寄駅：JR東海道本線大船駅、JR横須賀線戸塚駅、JR根岸線本郷台駅 山梨事業所最寄駅：JR 身延線 国母駅 ※本人希望を十分に配慮の上、お持ちの専門性と入社後ミッションに照らして最適勤務地を決定します。 （変更の範囲: 会社の定める場所） リモートワーク：可
博士卒の初任給
年収：450万円 〜 800万円／月給：28万円 〜 40万円 ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給：年1回(6月) 賞与：年2回(6月・12月) ※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当
本選考の採用フロー
選考プロセス：書類選考→面接（2～3回）→内定 ※選考中にSPI実施。