仕事の詳細
職場での仕事内容から生かせる経験・スキル、諸条件など詳細を確認できます
企業名
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
職種
【山梨】GaN-HEMTデバイス開発エンジニア（中核候補）
仕事内容
ポジション概要 携帯電話基地局向けGaN HEMT（窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ）のデバイス技術エンジニアを募集します。試作デバイスの特性評価とフィードバックを通じて、プロセス技術者・生産技術者と協議しながら、量産デバイスの特性最大化・歩留改善・製品化まで伴走いただきます。 具体的な仕事内容 ■主な業務 ・試作デバイスの特性評価（高周波特性、DC特性、信頼性）とフィードバック ・デバイス特性の作り込み・歩留改善に向けたプロセス技術者・生産技術者との協議 ・量産立ち上げ、不具合解析、品質安定化 ・顧客要求仕様に応じたデバイス特性の最適化 ■扱う技術領域 ・化合物半導体：GaN、AlGaN、AlN、GaN on SiC 等 ・デバイス構造：HEMT構造、フィールドプレート、ゲート絶縁膜 等 ・応用：ポスト5G基地局向けパワートランジスタ ■開発フロー（目安） 顧客／社内からの要求仕様 → デバイス評価 → プロセス技術連携 → 試作 → 評価 → 製品化・量産展開 (変更の範囲: 会社の定める業務)
求める人物像
必須条件（MUST) 下記いずれかに該当する方 ・基礎学問の素養をお持ちの方：大学または大学院で物理・物性／電気工学／電子工学／応用物理等を専攻された方(社会人経験が同領域の開発以外、例えば品質保証・開発購買・異分野の開発等であっても、基礎知識のキャッチアップ意欲があれば対象) ・化合物半導体／高周波デバイス関連の実務経験をお持ちの方：GaN／GaAs／SiC等のデバイス開発、結晶成長、プロセス開発、高周波評価いずれかのご経験 ・研究経験をお持ちの方：化合物半導体・高周波デバイス・半導体物性に関する修士・博士論文テーマ、ポスドク経験 歓迎条件（WANT) 下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします ・半導体デバイス(Si、化合物問わず)の設計・評価・プロセス経験 ・高周波(GHz帯)測定、電磁界シミュレーション(ADS、MWO等)の経験 ・英語または中国語による技術文書読解・コミュニケーション能力 求める人物像 ・物性・構造・プロセス・評価・顧客要求の連携をコミュニケーションしながら進められる方 ・電子デバイスを「材料・物性・通信などの総合格闘技」として楽しめる方 ・腰を据えて取り組める方(じっくりチャレンジできる環境です)
博士・ポスドクに特に求めること
・研究経験をお持ちの方：化合物半導体・高周波デバイス・半導体物性に関する修士・博士論文テーマ、ポスドク経験
勤務予定地
〒409-3883 山梨県中巨摩郡昭和町紙漉阿原1000 山梨事業所最寄駅：JR 身延線 国母駅 （変更の範囲: 会社の定める場所）
博士卒の初任給
年収：450万円 〜 800万円／月給：28万円 〜 40万円 ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給：年1回(6月) 賞与：年2回(6月・12月) ※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当
本選考の採用フロー
選考プロセス：書類選考→面接（2～3回）→内定 ※選考中にSPI実施。