仕事の詳細
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企業名
住友電工デバイス・イノベーション株式会社
職種
【横浜】トランジスタモデリング・高周波回路設計開発（電子デバイス）
仕事内容
ポジション概要 5G/6G基地局向けGaN-HEMTデバイスに関する、トランジスタのモデリング技術開発または高周波回路の設計開発を担うポジションです。顧客が回路設計に利用するシミュレーションモデルの作成・提供、およびモデルを用いた高周波回路技術の開発を通じて、当社デバイスの市場競争力を支えていただきます。 具体的な仕事内容 ■主な業務 ・GaN-HEMTトランジスタのシミュレーションモデル開発 ・顧客向けシミュレーションモデルの作成・提供 ・高周波回路技術の開発 ・GHz帯の高周波特性評価・解析 ・数学を用いた計算・式作成・シミュレーション ■業務の特徴 ・モデリング・シミュレーションを担うチームに配属。顧客が製品を使いこなすための技術的な「翻訳者」の役割を担います。 ・デバイス設計やプロセス開発との連携を通じて、デバイスの物理からシステム応用までの広い視野が得られます。 (変更の範囲: 会社の定める業務)
求める人物像
必須条件（MUST) 下記いずれかに該当する方 ・半導体トランジスタのモデリング経験をお持ちの方 ・高周波回路技術の開発経験をお持ちの方 歓迎条件（WANT) 下記いずれか満たす方は特に歓迎いたします ・GaN-HEMTのモデリング経験 ・GHz帯の高周波特性評価のご経験 ・数学的バックグラウンド（計算・式作成・シミュレーション） ・顧客向けシミュレーションモデル作成のご経験 求める人物像 ・化合物半導体の技術開発に興味を持ち、5G/6G時代の通信インフラを支える仕事にやりがいを感じられる方 ・上流から下流まで全体を見渡しながら開発に取り組みたい方 ・チームで協力しながら粘り強く課題解決に取り組める方 ・腰を据えて長期的にキャリアを築きたい方
勤務予定地
〒244-0845 神奈川県横浜市栄区金井町1番地 最寄駅：JR東海道本線大船駅、JR横須賀線戸塚駅、JR根岸線本郷台駅 （変更の範囲: 会社の定める場所）
博士卒の初任給
年収：450万円 〜 800万円／月給：28万円 〜 40万円 ※経験・能力等を考慮し当社規定により決定 昇給：年1回(6月) 賞与：年2回(6月・12月) ※2025年度実績 5.3ヶ月 諸手当：通勤手当、残業手当、家族手当、食事手当、在宅勤務手当
本選考の採用フロー
選考プロセス：書類選考→面接（2～3回）→内定 ※選考中にSPI実施。